IPD60R3K3C6 دیتاشیت

IPD60R3K3C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD60R3K3C6
حجم فایل 32.745 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPD60R3K3C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: ISC
  • Type: N Channel
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD60R3K3C6
  • Power Dissipation (Pd): 18.1W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@40uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.3Ω@10V,500mA

محصولات مشابه